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供應(yīng) Infineon CY62167G30-45ZXI 高性能靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)

供應(yīng) Infineon CY62167G30-45ZXI 高性能靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)

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描述CY62167G30-45ZXI是一款由Infineon研發(fā)生產(chǎn)的高性能CMOS、低功耗(MoBL) SRAM器件,內(nèi)置ECC。CY62167GE30器件包括一個(gè)ERR引腳,用于在一個(gè)讀周期內(nèi)發(fā)出一個(gè)單位錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正事件的信號(hào)。該器件具有獨(dú)特的字節(jié)關(guān)斷特性,如果兩個(gè)字節(jié)使能(BHE和BLE)均被禁用,無(wú)論芯片…

描述

CY62167G30-45ZXI是一款由Infineon研發(fā)生產(chǎn)的高性能CMOS、低功耗(MoBL) SRAM器件,內(nèi)置ECC。CY62167GE30器件包括一個(gè)ERR引腳,用于在一個(gè)讀周期內(nèi)發(fā)出一個(gè)單位錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正事件的信號(hào)。


該器件具有獨(dú)特的字節(jié)關(guān)斷特性,如果兩個(gè)字節(jié)使能(BHE和BLE)均被禁用,無(wú)論芯片使能狀態(tài)如何,器件都會(huì)無(wú)縫切換到待機(jī)模式,從而節(jié)省功耗。在CY62167GE30器件上,通過(guò)置位ERR輸出(ERR=高電平)來(lái)檢測(cè)和糾正所訪問(wèn)位置的單位錯(cuò)誤。


特征

? 超低待機(jī)電流

- 標(biāo)準(zhǔn)待機(jī)電流:1.5 A

- 最大待機(jī)電流:8安

? 高速:45納秒

? 嵌入式糾錯(cuò)碼(ECC ),用于單位錯(cuò)誤糾正

? 工作電壓范圍:2.2 V至3.6 V

? 1.0v數(shù)據(jù)保持

? 晶體管-晶體管邏輯(TTL)兼容輸入和輸出

? 指示1位錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正的錯(cuò)誤指示(ERR)引腳

? 48引腳TSOP I封裝,可配置為1M x 16或2M x 8 SRAM

? 提供無(wú)鉛48引腳VFBGA和48引腳TSOP I封裝


應(yīng)用場(chǎng)景

CY62167G30-45ZXI器件廣泛應(yīng)用于各種需要高速數(shù)據(jù)處理和實(shí)時(shí)響應(yīng)的電子設(shè)備中,包括:

人機(jī)界面

工業(yè) 4.0 的工業(yè)機(jī)器人系統(tǒng)解決方案

伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制

CY62167G30-45ZXI.jpg

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