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New and original【EV1320QI】2A Source/Sink DDR存儲(chǔ)器終端轉(zhuǎn)換器

New and original【EV1320QI】2A Source/Sink DDR存儲(chǔ)器終端轉(zhuǎn)換器

來(lái)源:本站時(shí)間:2025-01-22瀏覽數(shù):

概述EV1320QI是一款DC- DC轉(zhuǎn)換器,專為存儲(chǔ)器終端應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件提供高達(dá)96%的高效率,同時(shí)提供與線性端接器件類似的解決方案尺寸。該器件設(shè)計(jì)為直接采用VDDQ供電軌供電。不需要外部分頻器或基準(zhǔn)電壓源。EV1320QI提供非常穩(wěn)定的輸出電壓(VTT ),可跟蹤VDDQ,同時(shí)吸收和…

概述

EV1320QI是一款DC- DC轉(zhuǎn)換器,專為存儲(chǔ)器終端應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件提供高達(dá)96%的高效率,同時(shí)提供與線性端接器件類似的解決方案尺寸。

EV1320QI.jpg

該器件設(shè)計(jì)為直接采用VDDQ供電軌供電。不需要外部分頻器或基準(zhǔn)電壓源。EV1320QI提供非常穩(wěn)定的輸出電壓(VTT ),可跟蹤VDDQ,同時(shí)吸收和流出高達(dá)2A的連續(xù)輸出電流。最多可并聯(lián)4個(gè)EV1320QI設(shè)備,以提供高達(dá)8A的電流。具有輸出放電的使能引腳可用于S3(掛起至RAM)狀態(tài)。


EV1320QI專為滿足當(dāng)前和未來(lái)高性能、DDR2、DDR3和低功耗DDR4 JEDEC VTT的精確電壓、快速瞬變要求而設(shè)計(jì)。先進(jìn)的電路技術(shù)和高開(kāi)關(guān)頻率提供高質(zhì)量、緊湊、非隔離的DC-DC轉(zhuǎn)換。


基本參數(shù)

應(yīng)用:轉(zhuǎn)換器,DDR

電壓 - 輸入:0.95V ~ 1.8V,3V ~ 3.465V

輸出數(shù):1

電壓 - 輸出:0.5V ~ 0.9V

工作溫度:-40°C ~ 85°C

安裝類型:表面貼裝型

器件封裝:16-QFN(3x3)

基本產(chǎn)品編號(hào):EV1320


應(yīng)用場(chǎng)景

EV1320QI非常適合用于DDR2、DDR3、低功耗 DDR4 和 QDR 存儲(chǔ)器的 VTT 總線終端。


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