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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

IPW60R120P7

產(chǎn)品說明：通孔 N 通道 600 V 26A（Tc） 95W（Tc） PG-TO247-3

封裝：PG-TO247-3
10起
10000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BSC010N04LST

產(chǎn)品說明：OptiMOS? 5 功率 MOSFET 擴大了溫度范圍以提高堅固性

封裝：TDSON-8
10起
26800
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFH5215TRPBF

產(chǎn)品說明：采用 PQFN 5x6 封裝的 150V 單通道 N 溝道 StrongIRFET? 功率 MOSFET

封裝：PQFN-8
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STW35N60DM2
ST

產(chǎn)品說明：N溝道600 V、0.094 Ohm、28 A MDmesh DM2功率MOSFET

封裝：TO-247-3
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPP051N15N5

產(chǎn)品說明：OptiMOS?5 功率晶體管，150V

封裝：TO-220-3
10起
20000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPB042N10N3G

產(chǎn)品說明：采用 D2PAK 封裝的 100V OptiMOS? 3 功率 MOSFET

封裝：D2PAK
10起
6000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFH7084TRPBF

產(chǎn)品說明：采用 PQFN 5x6 封裝的 40V 單 N 溝道 StrongIRFET? 功率 MOSFET

封裝：PQFN-8
10起
25000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPDD60R050G7

產(chǎn)品說明：N 通道 600 V 47A（Tc） 278W（Tc） PG-HDSOP-10-1

封裝：PG-HDSOP-10
10起
4400
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BSC026N08NS5

產(chǎn)品說明：用于電信應(yīng)用的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 80V

封裝：TDSON-8
10起
20000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFWS1D5N08XT1G
ON

產(chǎn)品說明：80V，253 A，1.5 mΩ 單N溝道功率 MOSFET

封裝：DFNW-5
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPT026N12NM6

產(chǎn)品說明：OptiMOS? 6 功率 MOSFET 正常電平 120 V，采用 TOLL 封裝

封裝：PG-HSOF-8
10起
1680
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IQD020N10NM5CGSC

產(chǎn)品說明：N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02

封裝：PG-WHTFN-9
10起
1680
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IQD020N10NM5SC

產(chǎn)品說明：N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHSON-8-U02

封裝：PG-WHSON-8
10起
1680
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IQD016N08NM5SC

產(chǎn)品說明：OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)。

封裝：PG-WHSON-8
10起
1680
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IQD016N08NM5CGSC

產(chǎn)品說明：OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)

封裝：PG-WHTFN-9
10起
1680
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IQD009N06NM5SC

產(chǎn)品說明：N 通道 60 V 42A（Ta），445A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHSON-8-U02

封裝：PG-WHSON-8
10起
1680
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
共190記錄?上一頁1234...12下一頁?
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