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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

IGLD65R080D2

產(chǎn)品說明：650 V G5 GaN HEMT – 氮化鎵晶體管

封裝：PG-LSON-8
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC033S10S1

產(chǎn)品說明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 ?100 V G3，2.4 m?

封裝：PG-TSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC033S101

產(chǎn)品說明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3，2.4 m?

封裝：PG-VSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC025S08S1

產(chǎn)品說明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 86 A ?80 V G3，1.8 m?

封裝：PG-TSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC019S06S1

產(chǎn)品說明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 99 A ?60 V G3，1.3 m?

封裝：PG-TSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC090S20S1

產(chǎn)品說明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 43 A ?200 V G3，6.7 m?

封裝：PG-TSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC037S12S1

產(chǎn)品說明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 71 A ?120 V G3，2.7m?

封裝：PG-TSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGB110S10S1

產(chǎn)品說明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3，PQFN 3x3,8 mΩ

封裝：PG-TSON-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGB110S101

產(chǎn)品說明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3，PQFN 3x3,8 mΩ

封裝：PG-VSON-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGB070S10S1

產(chǎn)品說明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3，PQFN 3x3，5 mΩ

封裝：PG-TSON-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGK080B041S

產(chǎn)品說明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 雙向開關(guān) 40 V G3，6 mΩ

封裝：WLCSP-16
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLR65R140D2

產(chǎn)品說明：650V，CoolGaN? G5 系列 - GaN 功率晶體管，PG-TSON-8

封裝：PG-TSON-8
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-030-6-LT-TR

產(chǎn)品說明：700V CoolGaN?功率晶體管，具有極高的效率和可靠性

封裝：PDFN 8x8
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-030-6-LT-MR

產(chǎn)品說明：700V CoolGaN?功率晶體管，具有極高的效率和可靠性

封裝：PDFN 8x8
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-018-2-L-MR

產(chǎn)品說明：GaN 場效應(yīng)晶體管 650V，18A，GaN E-模式，8x8 PDFN，底部冷卻

封裝：PDFN 8x8
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-011-2-L-TR

產(chǎn)品說明：GaN 場效應(yīng)晶體管 650V，11A，GaN E-mode，8x8 PDFN，底部冷卻

封裝：PDFN 8x8
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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