FF800R12KE7PE是62 mm 1200 V, 800 A 低飽和壓降的Fast trench IGBT半橋模塊,采用TRENCHSTOP? IGBT7和發(fā)射極控制第7代二極管。也可提供預涂導熱介質版本。
電氣特性:
- VCES = 1200 V
- IC nom = 800 A / ICRM = 1600 A
- 溝槽柵 IGBT7
- VCEsat 帶正溫度系數
機械特性:
- 標準封裝
- 4 kV 交流 1 分鐘 絕緣
- 高爬電距離和電氣間隙
- 高功率密度
- 絕緣的基板
- 封裝的 CTI > 400
應用:
? 三電平應用
? 商業(yè)性農用車輛
? 大功率變流器
? 電機傳動
? 伺服驅動器
? 太陽能應用
? UPS 系統
型號
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封裝
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IKA15N60T
IKA15N60T是一款高性能絕緣柵雙極晶體管(IGBT),屬于 TRENCHSTOP? 系列。IPW60R120P7
IPW60R120P7 是 600V CoolMOS? P7 超結 (SJ) MOSFET。IKW75N65EH5
IKW75N65EH5 高速 650 V、硬開關 IGBT TRENCHSTOP? 5 與 RAPID 1 快速軟反并聯二極管共同封裝在 TO-247 封裝中,被定義為 “同類最佳 ”IGBT。BSC010N04LST
BSC010N04LST是采用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰顯出先進的技術,封裝的工作溫度也隨之改善。IRS2110SPBF
IRS2110SPBF是高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅動器,具有獨立的高壓側和低壓側參考輸出通道。電話咨詢:86-755-83294757
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