Qorvo QPD0020 GaN RF功率晶體管是出色的35W分立式碳化硅基氮化鎵HEMT,在+48V電源軌上工作,頻率范圍為直流至6GHz。該晶體管支持連續(xù)波和脈沖工作模式。
特征
工作頻率范圍:直流至6GHz
工作漏極電壓:+48V
最大輸出功率 (PSAT):34.7W
最大漏極效率:77.8%
效率經過調諧的P3dB增益18.8dB
表面貼裝塑料封裝
應用
W-CDMA/LTE
宏蜂窩基站驅動器
微蜂窩基站
小型蜂窩末級
有源天線
地面移動和軍用無線電通信
通用型應用
型號
品牌
封裝
數量
描述
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Qorvo總部位于美國北卡羅來納州,匯聚30余年的設計經驗,全球擁有近8,000名員工。Qorvo在中國具有兩大生產基地,位于北京市和山東省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦莊經濟技術開發(fā)區(qū), 現有員工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山東省德…
RFFM4227TR13
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UG4SC075011K4S “Combo-FET ”將 750V SiC JFET 和低壓 Si MOSFET 集成到單個 TO-247-4L 封裝中。 這種創(chuàng)新方法使用戶能夠創(chuàng)建支持常開開關的電路,同時充分利用常開 SiC JFET 的優(yōu)勢。這些優(yōu)勢包括超低導通電阻 (RDS(on)),可最大限度地減少傳導損耗,以及簡化 JFET 器…QM56028
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